Память оперативная Samsung / Samsung 16GB UNB 3200, 1.2V 3200MHz DDR4 DIMM 1.2V [M378A2G43CB3-CWED0]
Описание Samsung / Samsung 16GB UNB 3200, 1.2V [M378A2G43CB3-CWED0]
Небуферизованный модуль DIMM.
Нет буфера или регистра: меньшее значение задержки.
Поддерживает организацию x8/x16/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 2DPC.
Характеристики
Основные | |
Форм-фактор | DIMM |
Тип памяти | DDR4 |
Общий объем памяти | 16 Гбайт |
Объем одного модуля | 16 Гбайт |
Количество модулей в комплекте | 1 шт. |
Быстродействие | |
Частота | 3200 МГц |
Пропускная способность | PC4-25600 |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 22 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
Конструкция | |
Радиатор | Нет |
Низкопрофильная | Нет |
Габариты | |
Габариты в упаковке | 18 x 3 x 1 см (ШхВхГ) |
Вес в упаковке | 0.1 кг |